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OMRON Electronic Components Europe ha presentado sus nuevos relés SiC-MOSFET G3VH con tensiones nominales de 3300V y 1800V, que ofrecen las ventajas de la conmutación de potencia de estado sólido en tensiones de bus y batería de 1000V e incluso superiores.
Gracias a sus valores elevados, estos relés garantizan una conmutación robusta y fiable a medida que los diseñadores de sistemas adoptan unas tensiones cada vez mayores para maximizar la eficiencia energética y aprovechar cables y conexiones de menor tamaño y peso.
Si bien son capaces de funcionar por encima de los límites de tensión máximos habituales que caracterizan a los relés de silicio, los nuevos dispositivos G3VH son más duraderos y sus dimensiones físicas son más reducidas que en los relés reed convencionales.
SE utilizan habitualmente en accionamientos industriales y automatización, generadores de energía solar y eólica, sistemas de almacenamiento de energía (ESS) para detección de fallos a tierra, y equipos automáticos de prueba (ATE) para semiconductores de potencia de alta tensión y banda ancha.
Al incorporar MOSFETs de carburo de silicio (SiC) en configuración contrapuesta (back-to-back) con un controlador de puerta aislado ópticamente, los relés manejan fácilmente altas tensiones de funcionamiento dentro de su compacto encapsulado DIP-6 (dual in line package) de 6 pines. Gracias a sus capacidades internas intrínsecamente bajas que garantizan una conmutación limpia y eficiente a altas velocidades, los relés ofrecen un tiempo de activación de 1 o 2 ms y pueden apagarse en menos de 0,2 ms.
Con este rendimiento, los dispositivos de la serie G3VH permiten una respuesta rápida a instrucciones de seguridad del sistema y acortan los tiempos de los ciclos de prueba en aplicaciones ATE. Si bien la elevada tolerancia inherente del SiC frente a dV/dt garantiza una conmutación estable incluso bajo condiciones difíciles, los MOSFET también resisten las altas temperaturas de funcionamiento y el estrés térmico para lograr una larga vida útil en todos los entornos.
Los nuevos dispositivos comprenden dos series: la G3VH-331 de 3300V, con una corriente de carga continua de 300mA y una corriente de pulsos (Iop) de 900mA con una resistencia total de 3,5Ω entre los terminales. Por su parte, la serie G3VH-181 de 1800V admite hasta 30mA de corriente continua y una corriente de pulsos de 80mA, con una resistencia de 120Ω.
Todos los nuevos dispositivos G3VH son de tipo 1a (SPST, normalmente abiertos), ya se hallan en fase de producción y se suministran en encapsulados, tanto para montaje superficial como para inserción.
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